BSS123,215, Транзистор полевой N-канальный 100В 150мА, 0.25Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9343 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели

10 руб.

Мин. кол-во для заказа 50 шт.

от 254 шт. — 7 руб.

от 508 шт. — 5.90 руб.

от 1015 шт. — 5.20 руб.

Добавить в корзину 50 шт. на сумму 500 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8900096376

Артикул: BSS123,215

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 100В 150мА, 0.25Вт

Корпус	sot-23
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	150mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	250mW
Rds On - Drain-Source Resistance	6О© @ 120mA,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100V
Vgs - Gate-Source Voltage	2.8V @ 1mA
кол-во в упаковке	3000
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	150 mA
Maximum Drain Source Resistance	6 Ω
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.8V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	250 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Width	1.4mm
Вес, г	0.02