IRF9Z24PBF, Транзистор полевой P-канальный 60В 11А 60Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 14 шт. —
170 руб.
от 28 шт. —
152 руб.
от 50 шт. —
145 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 60В 11А 60Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220 Isolated Tab | |
| EU RoHS | Compliant | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| Part Status | Active | |
| HTS | 8541.10.00.80 | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Configuration | Single | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | P | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 11 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 280@10V | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 19(Max)@10V | |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 19(Max) | |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 570@25V | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 60000 | |
| Typical Fall Time (ns) | 29 | |
| Typical Rise Time (ns) | 68 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 15 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 | |
| Automotive | No | |
| Pin Count | 3 | |
| Supplier Package | TO-220AB | |
| Standard Package Name | TO-220 | |
| Military | No | |
| Mounting | Through Hole | |
| Package Height | 9.01(Max) | |
| Package Length | 10.41(Max) | |
| Package Width | 4.7(Max) | |
| PCB changed | 3 | |
| Tab | Tab | |
| Lead Shape | Through Hole | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Размер фабричной упаковки | 50 | |
| Серия | IRF9Z | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
| Упаковка | Tube | |
| Base Product Number | IRF9 -> | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A (Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| FET Type | P-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 25V | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) | |
| Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf | |
| Package | Tube | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 6.6A, 10V | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | TO-220AB | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| Вес, г | 2.68 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 272 КБ
Datasheet IRF9Z24PBF
pdf, 273 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
