IRFR5410TRPBF, транзистор Р канал -100В -13А DPak=IRFR5410TPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
86 руб.
Кратность заказа 4 шт.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 344 руб.
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор полевой IRFR5410TRPBF от производителя INFINEON - это высокоэффективный компонент с монтажом типа SMD, обеспечивающий стабильную работу в широком диапазоне электронных устройств. Данный N-MOSFET транзистор характеризуется током стока 13 А и напряжением сток-исток 100 В, что позволяет использовать его в мощных схемах. Мощность устройства составляет 66 Вт, что гарантирует его надежность и долговечность в условиях интенсивной эксплуатации. Компактный корпус DPAK способствует удобству монтажа и экономии пространства на печатной плате. Модель IRFR5410TRPBF станет отличным выбором для разработчиков, ищущих качественные компоненты для своих проектов. Код товара для удобства поиска и заказа: IRFR5410TRPBF. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 13 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 66 |
| Корпус | DPAK |
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 66 | |
| Корпус | dpak | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 3.2 | |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -4 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 205 | |
| Температура, С | -55…+150 | |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 13A | |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 66W | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 205mО© @ 7.8A,10V | |
| Transistor Polarity | P Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | P | |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 205 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 66 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | DPAK(TO-252) | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | HEXFET | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 58 nC @ 10 V | |
| Width | 6.22mm | |
| Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFR5410, IRFU5410
pdf, 267 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
