BC846BPDW1T1G, Биполярный транзистор NPN/PNP, 65В, 0,1А, 0.38Вт

Фото 1/3 BC846BPDW1T1G, Биполярный транзистор NPN/PNP, 65В, 0,1А, 0.38Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
12 руб.
Мин. кол-во для заказа 41 шт.
от 212 шт.9 руб.
от 423 шт.7.40 руб.
от 845 шт.6.50 руб.
Добавить в корзину 41 шт. на сумму 492 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги9
Номенклатурный номер: 8951602882
Артикул: BC846BPDW1T1G

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки биполярных транзисторов
Биполярный транзистор NPN/PNP, 65В, 0,1А, 0.38Вт

Технические параметры

Корпус SOT363-6
Brand: onsemi
Collector- Base Voltage VCBO: 80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 65 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 600 mV, 650 mV
Configuration: Dual
Continuous Collector Current: 0.1 A
DC Collector/Base Gain hFE Min: 150
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: onsemi
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SC-70-6
Pd - Power Dissipation: 380 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: BC846BPDW1
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN, PNP
Вес, г 0.08

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов