BC846BPDW1T1G, Биполярный транзистор NPN/PNP, 65В, 0,1А, 0.38Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 руб.
Мин. кол-во для заказа 41 шт.
от 212 шт. —
9 руб.
от 423 шт. —
7.40 руб.
от 845 шт. —
6.50 руб.
Добавить в корзину 41 шт.
на сумму 492 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги9
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки биполярных транзисторов
Биполярный транзистор NPN/PNP, 65В, 0,1А, 0.38Вт
Технические параметры
Корпус | SOT363-6 | |
Brand: | onsemi | |
Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 65 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 600 mV, 650 mV | |
Configuration: | Dual | |
Continuous Collector Current: | 0.1 A | |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 150 | |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz | |
Manufacturer: | onsemi | |
Maximum DC Collector Current: | 100 mA | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Package/Case: | SC-70-6 | |
Pd - Power Dissipation: | 380 mW | |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT | |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors | |
Series: | BC846BPDW1 | |
Subcategory: | Transistors | |
Technology: | Si | |
Transistor Polarity: | NPN, PNP | |
Вес, г | 0.08 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов