STP5NK50Z, Транзистор полевой N-канальный 500В 10.5А 70Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
971 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 22 шт. —
98 руб.
от 50 шт. —
91 руб.
от 100 шт. —
86 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 520 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 500В 10.5А 70Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| кол-во в упаковке | 50 | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Fall Time | 15 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 3.1 S | |
| Height | 9.15 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | 4.4 A | |
| Length | 10.4 mm | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Pd - Power Dissipation | 70 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.5 Ohms | |
| Rise Time | 10 ns | |
| RoHS | Details | |
| Series | N-channel MDmesh | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Type | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 32 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
| Width | 4.6 mm | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
| Fall Time: | 15 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 3.1 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.4 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | TO-220-3 | |
| Packaging: | Tube | |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 28 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 Ohms | |
| Rise Time: | 10 ns | |
| Series: | STP5NK50Z | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | SuperMESH | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Type: | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 655 КБ
Datasheet STP5NK50Z
pdf, 369 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
