TK6A65D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 650В 6А [TO-220SIS]

Фото 1/4 TK6A65D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 650В 6А [TO-220SIS]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 шт. со склада г.Москва
220 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 220 руб.
Номенклатурный номер: 9000335356
Артикул: TK6A65D(STA4,Q,M)
Бренд: Toshiba

Описание

МОП-транзистор N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.11 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 45
Корпус TO-220SIS
Вес, г 3.5

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.