TK6A65D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 650В 6А [TO-220SIS]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 шт. со склада г.Москва
220 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
МОП-транзистор N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.11 Ом/3А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 | |
Корпус | TO-220SIS | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
TK6A65D_datasheet_en_20131101-1151080
pdf, 196 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.