FDB8832, (Обновлен дата код. Проверено), Транзистор полевой N-канальный 30В 80А 300Вт, 0.0019 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 7 шт. —
135 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 30В 80А 300Вт, 0.0019 Ом
Технические параметры
| Корпус | D2Pak(TO-263) | |
| Continuous Drain Current (Id) | 34A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.9mΩ@80A, 10V | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 11.4nF@15V | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Power Dissipation (Pd) | 300W | |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 265nC@10V | |
| Type | N Channel | |
| Вес, г | 1.35 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 339 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
