SI7288DP-T1-GE3, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 5 шт. —
77 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
Integrated MOSFET Solutions
Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density, increase efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET ® technologies and low thermal resistance.
Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density, increase efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET ® technologies and low thermal resistance.
Технические параметры
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
| Рассеиваемая Мощность | 15.6Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0156Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.742 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 321 КБ
Datasheet
pdf, 335 КБ
Datasheet SI7288DP-T1-GE3
pdf, 321 КБ
Datasheet SI7288DP-T1-GE3
pdf, 148 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
