IRFD9014PBF, Транзистор MOSFET P-канал 60В 1.1А [HVMDIP]
![Фото 1/3 IRFD9014PBF, Транзистор MOSFET P-канал 60В 1.1А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
98 руб.
от 15 шт. —
83 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 98 руб.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -0,8А, 1,3Вт, DIP4 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.1 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.5 Ом/0.66А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 | |
| Корпус | HVMDIP-4 | |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
