SI3457CDV-T1-GE3, Резистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
62 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 62 руб.
Описание
Halogen-free TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS Load Switch
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Quad Drain |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4.1 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 74 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 6 |
| Pin Count | 6 |
| PPAP | No |
| Process Technology | TrenchFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | TSOP |
| Typical Fall Time (ns) | 12 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 10 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 10 10V|5.1 4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 450 15V |
| Typical Rise Time (ns) | 80 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 40 |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![J111, Транзистор JFET N-CH 20мА [TO-92-3]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299940.jpg)
![AON7430, Транзистор [DFN3x3EP]](https://static.chipdip.ru/lib/827/DOC043827778.jpg)
![MMBF4393LT1G, Транзистор JFET N-канал 30В 0.225Вт [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
