BSC014N04LSTATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
400 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 400 руб.
Описание
The Infineon OptiMOS 5 power MOSFET in SuperSO8 package offers the latest technology together with temperature improvements in the package.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0011Ом |
| Power Dissipation | 115Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 115Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0011Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 205 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0014 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | TDSON |
| Pin Count | 8 |
| Series | OptiMOS 5 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
