ZXMN3F30FHTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 3,7А, 0,95Вт, SOT23

Фото 2/4 ZXMN3F30FHTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 3,7А, 0,95Вт, SOT23Фото 3/4 ZXMN3F30FHTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 3,7А, 0,95Вт, SOT23Фото 4/4 ZXMN3F30FHTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 3,7А, 0,95Вт, SOT23
Фото 1/4 ZXMN3F30FHTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 3,7А, 0,95Вт, SOT23
90 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
99 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 10 шт.83 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 495 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9000816084
PartNumber: ZXMN3F30FHTA
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: Diodes Incorporated

Описание

N-канальный полевой МОП-транзистор, 30 В, Diodes Inc.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 4.6 A
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 1,4 Вт
Тип монтажа Surface Mount
Ширина 1.4мм
Высота 1.12мм
Размеры 3.04 x 1.4 x 1.12мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 3.04мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 1,6 нс
Производитель DiodesZetex
Типичное время задержки выключения 17 нс
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 65 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 7,7 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 318 пФ при 15 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 411 КБ
Datasheet ZXMN3F30FHTA
pdf, 397 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах