SUD50P04-08-BE3, MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
420 руб.
от 5 шт. —
330 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 420 руб.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Fall Time: | 18 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | SUD50P04-08-GE3 |
| Pd - Power Dissipation: | 73.5 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 159 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.1 mOhms |
| Rise Time: | 12 ns |
| Series: | SUD50P04 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TrenchFET |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, г | 0.33 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
