ZXMS6004DT8TA, SM-8 Power DIstrIbutIon SwItches ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
340 руб.
от 5 шт. —
240 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 340 руб.
Описание
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.2 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 600 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2.13 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SM |
| Pin Count | 8 |
| Series | IntelliFET |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Width | 3.95mm |
| Вес, г | 0.117 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 234 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
