NCE60P25K-VB, 60V 25A 53m-@10V,10A 38.5W 3V@250uA 90pF@25V P Channel 1.14nF@25V 26nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs ROHS
1 шт. со склада г.Екатеринбург
230 руб.
от 5 шт. —
160 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
60V 25A 53mΩ@10V,10A 38.5W 3V@250uA P Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 25A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 53mΩ@10V, 10A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.14nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 38.5W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 90pF@25V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 26nC@10V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.48 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 406 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
