Мой регион: Россия

FDPF18N50

Ном. номер: 8000654480
PartNumber: FDPF18N50
Производитель: ON Semiconductor
FDPF18N50
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
220 руб.
122 шт. со склада г.Москва,
срок 4 рабочих дня
от 13 шт. — 140 руб.
от 25 шт. — 123 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
217 руб. 3-4 недели, 4079 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 194 руб.
от 100 шт. — 163 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Транзисторы / Полевые транзисторы / Силовые MOSFET модули
Корпус: TO-220F, инфо: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F, 38Вт

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Тип корпуса
TO-220F
Максимальное рассеяние мощности
38,5 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.7
Высота
9.19мм
Размеры
10.16 x 4.7 x 9.19мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.16мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
55 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
95 ns
Серия
UniFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
265 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
45 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2200 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Вес, г
3.5

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.