STP3NK60ZFP, Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2888 шт., срок 6-8 недель
310 руб.
Мин. кол-во для заказа 110 шт.
Добавить в корзину 110 шт.
на сумму 34 100 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 1,51А, 20Вт, TO220FP Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.4 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3600 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 20000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | SuperMESH |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 14 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 11.8 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11.8 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 311 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 14 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9 |
| Brand | STMicroelectronics |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 14 ns |
| Height | 9.3 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 2.4 A |
| Length | 10.4 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220FP-3 |
| Pd - Power Dissipation | 20 W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.6 Ohms |
| Rise Time | 14 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 4.6 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 997 КБ
Datasheet 3NK60
pdf, 932 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
