ZXMN3B01FTA, Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
41 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
39 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 123 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 150 4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 806 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Small Signal |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Typical Fall Time (ns) | 5.27 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 2.93 4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 258 15V |
| Typical Rise Time (ns) | 3.98 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 8 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 2.69 |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 3.98 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 4 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Qg - Gate Charge: | 2.93 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 150 mOhms |
| Rise Time: | 3.98 ns |
| Series: | ZXMN3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.69 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
