SI4465ADY-T1-GE3, MOSFET 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

460 руб.

от 10 шт. — 370 руб.

от 100 шт. — 295 руб.

от 250 шт. — 270.32 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 460 руб.

Номенклатурный номер: 8006249901

Артикул: SI4465ADY-T1-GE3

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V

Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.75 mm
Длина	4.9 mm
Другие названия товара №	SI4465ADY-GE3
Категория продукта	МОП-транзистор
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	SI4
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	SO-8
Ширина	3.9 mm
EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	NRND
HTS	8541.29.00.95
Package Width	4(Max)
Package Length	5(Max)
Lead Shape	Gull-wing
Package Height	1.55(Max)
Mounting	Surface Mount
PCB changed	8
Product Category	Power MOSFET
Process Technology	TrenchFET
Configuration	Single Quad Drain Triple Source
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	8
Maximum Gate Source Voltage (V)	±8
Maximum Continuous Drain Current (A)	13.7
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	9@4.5V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	55@4.5V
Maximum Power Dissipation (mW)	3000
Typical Fall Time (ns)	112
Typical Rise Time (ns)	170
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	168
Typical Turn-On Delay Time (ns)	33
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tape and Reel
Automotive	No
Standard Package Name	SOP
Supplier Package	SOIC N
Pin Count	8
Military	No
Вес, г	0.187