STH250N55F3-6, Trans MOSFET N-CH 55V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R

STH250N55F3-6, Trans MOSFET N-CH 55V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1980 шт., срок 6-8 недель
620 руб.
Мин. кол-во для заказа 51 шт.
Добавить в корзину 51 шт. на сумму 31 620 руб.
Номенклатурный номер: 8001007478
Артикул: STH250N55F3-6
Бренд: STMicroelectronics

Технические параметры

EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Obsolete
PCB changed 6
Lead Shape Gull-wing
Package Height 4.8(Max)
Package Length 10.4(Max)
Mounting Surface Mount
Tab Tab
Product Category Power MOSFET
Configuration Single Hex Source
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 55
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Continuous Drain Current (A) 180
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 2.6@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 100@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 100
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 6800@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 300000
Typical Fall Time (ns) 50
Typical Rise Time (ns) 150
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 110
Typical Turn-On Delay Time (ns) 25
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 7
Supplier Package H2PAK
Military No
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet STH250N55F3-6
pdf, 699 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.