STH250N55F3-6, Trans MOSFET N-CH 55V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1980 шт., срок 6-8 недель
620 руб.
Мин. кол-во для заказа 51 шт.
Добавить в корзину 51 шт.
на сумму 31 620 руб.
Технические параметры
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Obsolete |
PCB changed | 6 |
Lead Shape | Gull-wing |
Package Height | 4.8(Max) |
Package Length | 10.4(Max) |
Mounting | Surface Mount |
Tab | Tab |
Product Category | Power MOSFET |
Configuration | Single Hex Source |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 180 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2.6@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 100@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 100 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 6800@25V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 300000 |
Typical Fall Time (ns) | 50 |
Typical Rise Time (ns) | 150 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 110 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 25 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Pin Count | 7 |
Supplier Package | H2PAK |
Military | No |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet STH250N55F3-6
pdf, 699 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.