D45H8G, Биполярный транзистор, универсальный, PNP, 60 В, 10 А, 70 Вт, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
от 100 шт. —
149 руб.
Добавить в корзину 12 шт.
на сумму 2 640 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 10А, 70Вт, TO220-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.75 mm |
| Длина | 10.53 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | D45H8 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Through Hole |
| Material | Si |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.5 0.8A 8A |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1 0.4A 8A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 10 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 40(Typ) |
| Minimum DC Current Gain | 60 2A 1V|40 4A 1V |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Packaging | Rail |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Bipolar Power |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Tab | Tab |
| Type | PNP |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V |
| Maximum DC Collector Current | -10 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 40 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220AB |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 2.8 |
Техническая документация
D45H
pdf, 95 КБ
Datasheet
pdf, 94 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet D45H8G
pdf, 215 КБ
Datasheet D45H8G
pdf, 87 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
