STFI13NM60N, Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2493 шт., срок 6-8 недель
290 руб.
Мин. кол-во для заказа 110 шт.
Добавить в корзину 110 шт.
на сумму 31 900 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 600V 11A, 3-контактный (3 выступа), трубка I2PAKFP
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 11 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 360 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 25000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | MDmesh |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | I2PAKFP |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 10 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 30 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 30 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 790 50V |
| Typical Rise Time (ns) | 8 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet STFI13NM60N
pdf, 766 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
