STF10NM65N, Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт., срок 6-8 недель
370 руб.
Мин. кол-во для заказа 84 шт.
Добавить в корзину 84 шт.
на сумму 31 080 руб.
Технические параметры
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Obsolete |
Product Category | Power MOSFET |
Process Technology | MDmesh |
Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 650 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 9 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 480@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 25@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 25 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 850@50V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 25000 |
Typical Fall Time (ns) | 20 |
Typical Rise Time (ns) | 8 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 50 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tube |
Automotive | No |
Standard Package Name | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | TO-220FP |
Military | No |
Mounting | Through Hole |
Package Height | 16.4(Max) |
Package Length | 10.4(Max) |
Package Width | 4.6(Max) |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Through Hole |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet STF10NM65N
pdf, 520 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.