SI9933CDY-T1-E3, MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
от 100 шт. —
89 руб.
от 500 шт. —
72.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs SO-8
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
| Qg - заряд затвора | 26 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 58 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 50 ns |
| Время спада | 13 ns |
| Другие названия товара № | SI9933CDY-E3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 50 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | SI9 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 2 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 29 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 58@4V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -50 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 8 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | No |
| Process Technology | TrenchFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SO |
| Supplier Package | SOIC N |
| Typical Drain Source Resistance @ 25°C (mOhm) | 17@2.5V|15@4.5V |
| Typical Fall Time (ns) | 13 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 17 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8@4.5V|17@10V |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 1.7 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 2.5 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 665@10V |
| Typical Output Capacitance (pF) | 220 |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 10 |
| Typical Rise Time (ns) | 50 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 29 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 21 |
| Вес, г | 0.113 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
