SI1070X-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
41 руб.
Мин. кол-во для заказа 760 шт.
Добавить в корзину 760 шт.
на сумму 31 160 руб.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 12V Vgs SC89-6
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 1.2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 236 mW |
| Qg - заряд затвора | 8.3 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 99 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 700 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.6 mm |
| Длина | 1.66 mm |
| Другие названия товара № | SI1070X-GE3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI1 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SC-89-6 |
| Ширина | 1.2 mm |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.082Ом |
| Power Dissipation | 236мВт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | Trench |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 12В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.2А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.55В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-89 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 145 КБ
Datasheet SI1070X-T1-GE3
pdf, 148 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
