SI1070X-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R

Фото 2/2 SI1070X-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R
Фото 1/2 SI1070X-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001465398
Артикул: SI1070X-T1-GE3
Производитель: Vishay
60 руб.
128 шт. со склада г.Москва,
срок 3-5 недель
от 10 шт. — 48.90 руб.
от 25 шт. — 48.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
42 руб. 7 дней, 1120 шт. 20 шт. 20 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.21.00.95
Product Category Power MOSFET
Process Technology TrenchFET
Configuration Single Quad Drain
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 30
Maximum Gate Source Voltage (V) ±12
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 1.55
Maximum Continuous Drain Current (A) 1.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 99@4.5V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 3.5@4.5V|3.8@5V
Typical Gate to Drain Charge (nC) 0.98
Typical Gate to Source Charge (nC) 1.1
Typical Reverse Recovery Charge (nC) 18.43
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 385@15V
Typical Output Capacitance (pF) 55
Maximum Power Dissipation (mW) 236
Typical Fall Time (ns) 6
Typical Rise Time (ns) 22
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 14
Typical Turn-On Delay Time (ns) 10
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 6
Supplier Package SC-89
Standard Package Name SC
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.6(Max)
Package Length 1.7(Max)
Package Width 1.2
PCB changed 6
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 1.2 A
Тип корпуса SOT-523 (SC-89)
Максимальное рассеяние мощности 236 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 1.2мм
Высота 0.6мм
Размеры 1.7 x 1.2 x 0.6мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 1.7мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 10 нс
Производитель Vishay
Типичное время задержки выключения 14 ns
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 0.7V
Максимальное сопротивление сток-исток 140 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 6
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 3.8 nC @ 4.5 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 385 пФ при 15 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -12 V, +12 V

Дополнительная информация

Datasheet SI1070X-T1-GE3

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.