IRFR9024TRPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
200 руб.
от 30 шт. —
173 руб.
от 100 шт. —
148.85 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
МОП-транзистор P-Chan 60V 8.8 Amp
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 8.8 A |
Pd - рассеивание мощности | 42 W |
Qg - заряд затвора | 19 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 68 ns |
Время спада | 29 ns |
Высота | 2.38 mm |
Длина | 6.73 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.9 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Серия | IRFR/U |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 15 ns |
Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.28Ом |
Power Dissipation | 42Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 8.8А |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 42Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.28Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1133 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов