STF10N60DM2, MOSFET N-channel 600 V, 0.440 Ohm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
994 шт., срок 7-9 недель
470 руб.
от 10 шт. —
360 руб.
от 100 шт. —
277 руб.
от 250 шт. —
243.43 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 470 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power МОП-транзистор in a TO-220FP package
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
Pd - рассеивание мощности | 25 W |
Qg - заряд затвора | 15 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 440 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 5 ns |
Время спада | 11.5 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STF10N60DM2 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 28 ns |
Типичное время задержки при включении | 11 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Вес, г | 2 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.