BD679

Ном. номер: 8001777211
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/6 BD679
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 BD679Фото 3/6 BD679Фото 4/6 BD679Фото 5/6 BD679Фото 6/6 BD679
16 руб.
601 шт. со склада г.Москва
от 350 шт. — 13.30 руб.
Мин. кол-во для заказа 292 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
25 руб. 323 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 19 руб.
от 150 шт. — 16.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO225

Транзистор биполярный
Корпус TO225, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 40 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 4 А, Коэффициент усиления по току, min 750

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
7.8мм
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальный запирающий ток коллектора
0.2mA
Производитель
STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
4 А
Тип корпуса
SOT-32
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.7мм
Тип транзистора
NPN
Высота
10.8мм
Число контактов
3
Размеры
7.8 x 2.7 x 10.8мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
750
Вес, г
1.36

Техническая документация

BD679 Datasheet
pdf, 90 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BD679
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов