MJE340

Ном. номер: 8001777611
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/6 MJE340
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 MJE340Фото 3/6 MJE340Фото 4/6 MJE340Фото 5/6 MJE340Фото 6/6 MJE340
23 руб.
2709 шт. со склада г.Москва
от 250 шт. — 18.50 руб.
от 1000 шт. — 17.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 210 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
30 руб. 1671 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 24 руб.
от 150 шт. — 22 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO126

TRANSISTOR, NPN, TO-126; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: NPN; Voltage, Vceo: 300V; Current, Ic Continuous a Max: 0.5A; Power Dissipation: 20.8W; Hfe, Min: 30; Case Style: TO-126; Termination Type: Through Hole; Current, Ic Max: 0.5A; Current, Ic hFE: 0.05A; Pins, No. of: 3; Power, Ptot: 20W; Temperature, Full Power Rating: 25°C; Transistors, No. of: 1; Voltage, Vcbo: 300V
Корпус TO126, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 20.8 Вт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 30, Коэффициент усиления по току, max 240

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
7.8мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
300 В
Производитель
STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Тип корпуса
SOT-32
Максимальное рассеяние мощности
2,8 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Тип транзистора
NPN
Высота
10.8мм
Число контактов
3
Размеры
10.8 x 7.8 x 2.7мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
3 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Вес, г
1.3

Техническая документация

MJE340-MJE350 datasheet
pdf, 528 КБ

Дополнительная информация

Datasheet MJE340
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов