BC856A.215

Ном. номер: 8001777823
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/5 BC856A.215
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 BC856A.215Фото 3/5 BC856A.215Фото 4/5 BC856A.215Фото 5/5 BC856A.215
0.90 руб.
6906 шт. со склада г.Москва
от 6000 шт. — 0.73 руб.
Мин. кол-во для заказа 5377 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
4 руб. 4415 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 2.60 руб.
от 1000 шт. — 2 руб.
2.40 руб. 3-4 недели, 3100 шт. 50 шт. 50 шт.
от 500 шт. — 1.80 руб.
от 1500 шт. — 1.60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 65 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 125, Коэффициент усиления по току, max 250

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-650 mV
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3мм
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-80 V
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
65 V
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
250 mW
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
1.4мм
Maximum DC Collector Current
100 мА
Transistor Type
PNP
Height
1мм
Pin Count
3
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Dimensions
3 x 1.4 x 1mm
Minimum DC Current Gain
125
Вес, г
0.046

Техническая документация

BC856-860
pdf, 62 КБ
BC856_BC857_BC858
pdf, 158 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BC856A.215
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов