SSM3J332R.LFT

Ном. номер: 8001779616
Производитель: Toshiba
Фото 1/2 SSM3J332R.LFT
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 SSM3J332R.LFT
4 руб.
33041 шт. со склада г.Москва
от 1400 шт. — 3.20 руб.
от 6000 шт. — 3 руб.
Мин. кол-во для заказа 1223 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
25 руб. 242 шт. 1 шт. 1 шт.
от 200 шт. — 6 руб.
13 руб. 8 дней, 450 шт. 50 шт. 50 шт.
от 150 шт. — 12 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000

MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
2.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Toshiba
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Package Type
SOT-23F
Maximum Power Dissipation
2 Вт
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Width
1.8мм
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Высота
0.8мм
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Drain Source Resistance
144 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
8.2 @ -4.5 V nC
Transistor Material
Кремний
Channel Type
P
Maximum Gate Source Voltage
+12 V
Вес, г
0.034

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов