BSP62.115

Ном. номер: 8001783540
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/4 BSP62.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BSP62.115Фото 3/4 BSP62.115Фото 4/4 BSP62.115
17 руб.
3692 шт. со склада г.Москва
от 316 шт. — 14 руб.
от 1330 шт. — 13.30 руб.
Мин. кол-во для заказа 277 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
98 руб. 2-4 недели, 30 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 73 руб.
43 руб. 8 дней, 120 шт. 20 шт. 20 шт.
от 40 шт. — 41 руб.
53 руб. 4 дня, 887 шт. 1 шт. 21 шт.
от 49 шт. — 19 руб.
от 98 шт. — 17 руб.
от 195 шт. — 15 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261

Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация PNP Darl., Рассеиваемая мощность 1.25 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 2000, Коэффициент усиления по току, max 2000

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1.9 V
Length
6.7mm
Maximum Collector Base Voltage
-90 V
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Cut-off Current
-50nA
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Continuous Collector Current
-1 A
Package Type
SOT-223
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
3.7мм
Transistor Type
PNP
Height
1.7мм
Pin Count
3 + Tab
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Minimum DC Current Gain
1000
Вес, г
0.262

Дополнительная информация

Datasheet BSP62.115
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов