BCX52-16.115

Ном. номер: 8001785563
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/6 BCX52-16.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 BCX52-16.115Фото 3/6 BCX52-16.115Фото 4/6 BCX52-16.115Фото 5/6 BCX52-16.115Фото 6/6 BCX52-16.115
6 руб.
5 руб.
4702 шт. со склада г.Москва
от 1000 шт. — 4.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 944 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
17 руб. 3-4 недели, 795 шт. 5 шт. 10 шт.
от 50 шт. — 13 руб.
от 150 шт. — 11.30 руб.
от 500 шт. — 10.60 руб.
42 руб. 2-4 недели, 245 шт. 5 шт. 5 шт.
28 руб. 6 дней, 1714 шт. 1 шт. 16 шт.
от 182 шт. — 8 руб.
от 364 шт. — 6.10 руб.
от 727 шт. — 5.30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO243

Корпус TO243, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 63, Коэффициент усиления по току, max 160

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
145 МГц
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
UPAK
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.6мм
Максимальный пост. ток коллектора
1 А
Тип транзистора
PNP
Высота
1.6мм
Число контактов
4
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
1.6 x 4.6 x 2.6мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Вес, г
0.205

Дополнительная информация

Datasheet BCX52-16.115
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов