STD3NK60ZT4

Ном. номер: 8001786316
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/6 STD3NK60ZT4
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 STD3NK60ZT4Фото 3/6 STD3NK60ZT4Фото 4/6 STD3NK60ZT4Фото 5/6 STD3NK60ZT4Фото 6/6 STD3NK60ZT4
22 руб.
4491 шт. со склада г.Москва
от 245 шт. — 18.10 руб.
от 1030 шт. — 17.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 215 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
120 руб. 3-5 недель, 3 шт. 1 шт. 1 шт.
150 руб. 54 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 90 руб.
от 5 шт. — 50 руб.
от 10 шт. — 42 руб.
75 руб. 6 дней, 1632 шт. 1 шт. 5 шт.
от 57 шт. — 28 руб.
от 113 шт. — 24 руб.
от 225 шт. — 22 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 2.4 А; Rси(вкл): 3.6 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.6 Ом

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
2,4 А
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.2мм
Высота
2.4мм
Размеры
6.6 x 6.2 x 2.4мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
9 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
19 ns
Серия
MDmesh, SuperMESH
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
3.6 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
11,8 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
311 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
NRND
HTS
8541.29.00.95
Product Category
Power MOSFET
Configuration
Single
Process Technology
SuperMESH
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
600
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Continuous Drain Current (A)
2.4
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
3600@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
11.8@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
11.8
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
311@25V
Maximum Power Dissipation (mW)
45000
Typical Fall Time (ns)
14
Typical Rise Time (ns)
14
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
19
Typical Turn-On Delay Time (ns)
9
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Pin Count
3
Standard Package Name
TO-252
Supplier Package
DPAK
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
2.4(Max)
Package Length
6.6(Max)
Package Width
6.2(Max)
PCB changed
2
Tab
Tab
Lead Shape
Gull-wing
Вес, г
0.602

Дополнительная информация

Datasheet STD3NK60ZT4
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов