BC817.215

Ном. номер: 8001787300
PartNumber: BC817.215
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/4 BC817.215
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BC817.215Фото 3/4 BC817.215Фото 4/4 BC817.215
2 руб.
0.90 руб.
121740 шт. со склада г.Москва
от 9000 шт. — 0.83 руб.
от 18000 шт. — 0.78 руб.
Мин. кол-во для заказа 4951 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
3 руб. 11466 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 2.20 руб.
от 1000 шт. — 1.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзистор биполярный стандартный

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 370 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 160, Коэффициент усиления по току, max 400

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.7 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Тип транзистора
NPN
Высота
1мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
-40
Вес, г
0.028

Дополнительная информация

Datasheet BC817.215

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.