BCP68.115

Ном. номер: 8001788634
PartNumber: BCP68.115
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/3 BCP68.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 BCP68.115Фото 3/3 BCP68.115
6 руб.
1394 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 815 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
52 руб. 3-5 недель, 13809 шт. 1 шт. 3 шт.
от 25 шт. — 28.40 руб.
120 руб. 256 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 60 руб.
от 5 шт. — 28 руб.
от 10 шт. — 18 руб.
12 руб. 4 дня, 3000 шт. 1 шт. 50 шт.
от 85 шт. — 10 руб.
от 170 шт. — 6.90 руб.
от 340 шт. — 6 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзистор биполярный стандартный

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261

Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Напряжение КЭ максимальное 20 В, Ток коллектора 2 А, Коэффициент усиления по току, min 40, Коэффициент усиления по току, max 375

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
170 МГц
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Максимальное напряжение коллектор-база
32 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 V
Тип корпуса
SOT-223 (SC-73)
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
2 A
Тип транзистора
NPN
Высота
1.7мм
Число контактов
4
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
50
Вес, г
0.264

Дополнительная информация

Datasheet BCP68.115

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.