STD7NM60N

Ном. номер: 8001791540
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/8 STD7NM60N
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/8 STD7NM60NФото 3/8 STD7NM60NФото 4/8 STD7NM60NФото 5/8 STD7NM60NФото 6/8 STD7NM60NФото 7/8 STD7NM60NФото 8/8 STD7NM60N
29 руб.
5260 шт. со склада г.Москва
от 173 шт. — 26 руб.
от 358 шт. — 24.80 руб.
от 752 шт. — 23.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 157 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
110 руб. 37 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 70 руб.
от 5 шт. — 48 руб.
от 10 шт. — 44 руб.
86 руб. 6 дней, 1873 шт. 1 шт. 4 шт.
от 54 шт. — 33 руб.
от 107 шт. — 28 руб.
от 214 шт. — 26 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 5 А; @Uзатв(ном): 4...7 В; Uзатв(макс): 25 В; Qзатв: 14 нКл
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 900 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6mm
Transistor Configuration
Single
Brand
STMicroelectronics
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Package Type
DPAK (TO-252)
Maximum Power Dissipation
45 W
Series
MDmesh
Mounting Type
Surface Mount
Width
6.2mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Height
2.4mm
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Product Category
Power MOSFET
Process Technology
MDmesh
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
600
Maximum Gate Source Voltage (V)
±25
Maximum Continuous Drain Current (A)
5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
900@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
14@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
14
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
363@50V
Maximum Power Dissipation (mW)
45000
Typical Fall Time (ns)
12
Typical Rise Time (ns)
10
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
26
Typical Turn-On Delay Time (ns)
7
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Pin Count
3
Supplier Package
DPAK
Standard Package Name
TO-252
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
2.4(Max)
Package Length
6.6(Max)
Package Width
6.2(Max)
PCB changed
2
Tab
Tab
Lead Shape
Gull-wing
Вес, г
0.556

Техническая документация

...7NM60N
pdf, 880 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STD7NM60N
Datasheet STD7NM60N
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.