STD16N65M5

Ном. номер: 8001792210
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/6 STD16N65M5
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 STD16N65M5Фото 3/6 STD16N65M5Фото 4/6 STD16N65M5Фото 5/6 STD16N65M5Фото 6/6 STD16N65M5
80 руб.
2500 шт. со склада г.Москва
от 67 шт. — 66.10 руб.
от 282 шт. — 62.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 59 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
350 руб. 8 дней, 3831 шт. 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 220 руб.
200 руб. 6 дней, 3011 шт. 1 шт. 2 шт.
от 19 шт. — 92 руб.
от 37 шт. — 82 руб.
от 73 шт. — 75 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 12 А; Rси(вкл): 0.299 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 45 нКл
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 12 А, Сопротивление открытого канала (мин) 299 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
STMicroelectronics
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Package Type
DPAK (TO-252)
Maximum Power Dissipation
90 Вт
Серия
MDmesh M5
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Width
6.2мм
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
2.4мм
Maximum Drain Source Resistance
279 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Transistor Material
Кремний
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Вес, г
0.6

Дополнительная информация

Datasheet STD16N65M5
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов