STL12N65M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
880 руб.
от 2 шт. —
760 руб.
от 5 шт. —
680 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 880 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
N-channel 650 V, 0.475 Ohm typ., 8.5 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 HV package
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8.5A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 644pF @ 100V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 48W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 4.25A, 10V |
| Series | MDmeshв(ў V |
| Supplier Device Package | PowerFlatв(ў(5x6) |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1367 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
