STP80NF10, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 300Вт TO220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 шт. со склада г.Москва
500 руб.
от 7 шт. —
450 руб.
от 14 шт. —
424 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 500 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 300Вт TO220 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
RoHS Compliant | Yes |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
Maximum Drain Source Resistance | 15 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Series | STripFET II |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.