SIHG20N50C
520 руб.
от 2 шт. —
410 руб.
от 5 шт. —
336 руб.
от 10 шт. —
308.70 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Категория продукта
MOSFET, N CHANNEL, 500V, 20A, TO-247AC-3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:20A, Drain Source Voltage Vds:500V, On Resistance Rds(on):225mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:5V, MSL:- , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Pd - рассеивание мощности | 292 W |
| Qg - заряд затвора | 65 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 225 mOhms |
| RoHS | Подробности |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 30 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 27 ns |
| Время спада | 44 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.4 S |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | E |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Торговая марка | Vishay/Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 199 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
