STP55NF06L

Фото 2/2 STP55NF06L
Фото 1/2 STP55NF06L
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001998215
Производитель: ST Microelectronics
140 руб.
38 шт. со склада г.Москва
от 2 шт. — 90 руб.
от 5 шт. — 60 руб.
от 10 шт. — 54 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
35 руб. 3-4 недели, 14193 шт. 1 шт. 232 шт.
от 3111 шт. — 29.70 руб.
31 руб. 4 дня, 56 шт. 1 шт. 34 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 55 А
Тип корпуса TO-220
Максимальное рассеяние мощности 95 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.6мм
Высота 9.15мм
Размеры 10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.4мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 20 ns
Производитель STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения 40 нс
Серия STripFET II
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 18 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 60 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 27 нКл при 4,5 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1700 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -16 V, +16 V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 10.4мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand STMicroelectronics
Maximum Continuous Drain Current 55 A
Тип корпуса TO-220
Maximum Power Dissipation 95 Вт
Серия STripFET II
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 4.6мм
Высота 9.15мм
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 18 мΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 В
Pin Count 3
Типичный заряд затвора при Vgs 27 нКл при 4,5 В
Transistor Material Кремний
Channel Mode Поднятие
Тип канала N
Maximum Gate Source Voltage -16 В, +16 В

Дополнительная информация

Datasheet STP55NF06L

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.