SPP11N60S5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 060 руб.
от 2 шт. —
930 руб.
от 5 шт. —
844 руб.
от 10 шт. —
803.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 060 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 11A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.38? |
Maximum Drain Source Voltage | 600V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20V |
Minimum Operating Temperature | -55°C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Pin Count | 3 |
Product Height | 4.4mm |
Product Length | 8.64mm |
Product Width | 10.26mm |
Supplier Package | TO-220 |
Typical Fall Time | 20ns |
Typical Rise Time | 35ns |
Typical Turn-Off Delay Time | 150ns |
Typical Turn-On Delay Time | 130ns |
конфигурация | Single |
максимальная рабочая температура | 150°C |
монтаж (установка) | Through Hole |
разрешение | Power MOSFET |
Вес, г | 2.76 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов