SPP11N60S5

SPP11N60S5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 060 руб.
от 2 шт.930 руб.
от 5 шт.844 руб.
от 10 шт.803.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 060 руб.
Номенклатурный номер: 8002002376

Описание

Электроэлемент
MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Maximum Continuous Drain Current 11A
Maximum Drain Source Resistance 0.38?
Maximum Drain Source Voltage 600V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Minimum Operating Temperature -55°C
Number of Elements per Chip 1
Pin Count 3
Product Height 4.4mm
Product Length 8.64mm
Product Width 10.26mm
Supplier Package TO-220
Typical Fall Time 20ns
Typical Rise Time 35ns
Typical Turn-Off Delay Time 150ns
Typical Turn-On Delay Time 130ns
конфигурация Single
максимальная рабочая температура 150°C
монтаж (установка) Through Hole
разрешение Power MOSFET
Вес, г 2.76

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов