IRF1010EZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
470 руб.
от 2 шт. —
370 руб.
от 5 шт. —
293 руб.
от 10 шт. —
265.86 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 470 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IRF1010EZPBF от известного производителя INFINEON является высокопроизводительным компонентом для монтажа THT. Оснащенный корпусом TO220AB, этот N-MOSFET транзистор обеспечивает ток стока до 84 А и способен выдерживать напряжение сток-исток до 60 В, что делает его идеальным для мощных применений. С мощностью до 140 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,0085 Ом, он обеспечивает высокую эффективность и надежность в работе. Продукт с кодом IRF1010EZPBF представляет собой оптимальный выбор для разработчиков силовой электроники, ищущих компоненты с улучшенными характеристиками и длительным сроком службы. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 84 |
Напряжение сток-исток, В | 60 |
Мощность, Вт | 140 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0085 |
Корпус | TO220AB |
Технические параметры
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Id - непрерывный ток утечки | 84 A |
Pd - рассеивание мощности | 140 W |
Qg - заряд затвора | 58 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.5 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 15.65 mm |
Длина | 10 mm |
Другие названия товара № | SP001571244 |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.4 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 84 A |
Maximum Drain Source Resistance | 8.5 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 140 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Series | HEXFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
Width | 4.83mm |
Вес, г | 2.9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 407 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF1010EZPBF
pdf, 409 КБ
Datasheet IRF1010EZSTRLP
pdf, 417 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов