AUIRLR2905

Фото 2/3 AUIRLR2905Фото 3/3 AUIRLR2905
Фото 1/3 AUIRLR2905
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
15 шт. со склада г.Москва
280 руб.
от 2 шт.220 руб.
от 10 шт.166 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 280 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002016225
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Continuous Drain Current 42 A
Package Type DPAK (TO-252)
Maximum Power Dissipation 110 W
Mounting Type Surface Mount
Width 6.22mm
Height 2.39mm
Transistor Material Si
Number of Elements per Chip 1
Length 6.73mm
Transistor Configuration Single
Brand Infineon
Series HEXFET
Minimum Operating Temperature -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Maximum Drain Source Resistance 40 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 55 V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 48 nC @ 5 V
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -16 V, +16 V

Техническая документация

AUIRLR2905 datasheet
pdf, 269 КБ

Дополнительная информация

Datasheet AUIRLR2905

Видео

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах