IRF640NS

Ном. номер: 8002025064
PartNumber: IRF640NS
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRF640NS
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRF640NSФото 3/5 IRF640NSФото 4/5 IRF640NSФото 5/5 IRF640NS
180 руб.
63 шт. со склада г.Москва
от 2 шт. — 120 руб.
от 5 шт. — 84 руб.
от 10 шт. — 70 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
47 руб. 6 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 41 руб.
от 150 шт. — 40 руб.
45 руб. 2484 шт. 1 шт. 96 шт.
от 100 шт. — 41 руб.
от 200 шт. — 39.20 руб.
от 450 шт. — 37.30 руб.
58 руб. 6 дней, 2110 шт. 1 шт. 30 шт.
от 50 шт. — 52 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
MOSFET, N, 200V, 18A, D2-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 18A Resistance, Rds On 0.15ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style D2-PAK Termination Type SMD Alternate Case Style D2-PAK Current, Idm Pulse 72A Power Dissipation 150W Power, Pd 150W SMD Marking IRF640NS Thermal Resistance, Junction to Case A 1°C/W Voltage, Vds 200V Voltage, Vds Max 200V Voltage, Vgs th Max 4V
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
18 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
23 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
0,15 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
67 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1160 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.