IRF7205
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
110 руб.
от 10 шт. —
90 руб.
от 100 шт. —
70.13 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 340 руб.
Описание
Электроэлемент
P CHANNEL MOSFET, -30V, 4.6A, SOIC; Tran; P CHANNEL MOSFET, -30V, 4.6A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):130mohm; Rds(on) Test V
Технические параметры
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Family | FETs-Single |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Online Catalog | P-Channel Standard FETs |
| Other Names | IRF7205PBFTR |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Power - Max | 2.5W |
| Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)Discrete Power MOSFETs 40V and Below |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Standard Package | 4 |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
IRF7205 datasheet
pdf, 166 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
