IRF9Z34NS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
190 руб.
от 10 шт. —
159 руб.
от 11 шт. —
152.46 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 500 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P-CH, -55V, -19A, TO-263, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-19A, Drain Source Voltage Vds:-55V, On Resistance Rds(on):0.1ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-4V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 19 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 100@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 55 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 3800 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | Single |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 35(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 35(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 620@25V |
| Typical Output Capacitance - (pF) | 280 |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
IRF9Z34NSPBF Datasheet
pdf, 1102 КБ
Документация
pdf, 167 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
