IRFBC30AS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
от 2 шт. —
130 руб.
от 10 шт. —
91 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Описание
Электроэлемент
МОП-транзистор N-CH 600V HEXFET МОП-транзистор D2-PA
Технические параметры
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Height | 4.83 mm |
| Length | 10.67 mm |
| Manufacturer | Vishay |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Packaging | Tube |
| Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Unit Weight | 0.050717 oz |
| Width | 9.65 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 74 W |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRFBC |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.65 mm |
| Вес, г | 1.438 |
Техническая документация
Документация
pdf, 261 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
