IRLR2705
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
160 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 100 шт. —
110.38 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 440 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 55V, 28A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.04ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Pow
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Family | Transistors-FETs, MOSFETs-Single |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 880pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Digi-Reel® |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 68W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 17A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Standard Package | 1 |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Документация
pdf, 266 КБ
Datasheet IRLR2705PBF
pdf, 217 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
